•  I
• a · A  I
• Accessibilitat  I
• Mapa web  I
• Cercar  I
• Directori

• ::  Sign in :: 

Un equip d'investigadors del Centre de Tecnologia Nanofotònica de la Universitat Politècnica de València (NTC-UPV) ha desenvolupat una nova tecnologia compatible amb la fotònica del silici, l'ús de la qual en l'àmbit de les comunicacions permetrà incrementar la velocitat de transmissió d'Internet, a més de reduir el consum energètic dels dispositius.

Entre les possibles aplicacions, destaca també el sector aeroespacial, ja que podria ajudar a millorar la velocitat d'operació de les comunicacions per satèl·lit, així com a reduir el seu pes.

El desenvolupament d'aquesta tecnologia constitueix el principal resultat de SITOGA, un projecte europeu coordinat pel NTC de la UPV i en el qual han participat també Das Photonics (empresa derivada de la UPV), la multinacional IBM, el Centre Nacional de Recerca Científica francès (CNRS), la Universitat Catòlica de Lovaina (Bèlgica) i l'institut Innovations for High Performance Microelectronics (IHP) alemany.

Integra diòxid de vanadi i titanat de bari en xips de silici

El nou sistema està basat en la integració de diòxid de vanadi i titanat de bari en xips de silici. L'ús d'aquests materials ha permès miniaturitzar i reduir el consum de potència, i demostrar, per primera vegada, modulacions d'alta velocitat utilitzant el mateix efecte que s'empra actualment en els moduladors comercials, la qual cosa obri la possibilitat d'assolir velocitats de modulació ultraràpides, alhora que un baix consum energètic.

La característica singular d'aquesta tecnologia és la seua compatibilitat amb la fabricació de circuits integrats CMOS, la qual cosa permetria realitzar-los a gran escala amb baix cost, i també integrar-los amb altres components fotònics per a permetre funcionalitats molt més complexes que les actualment oferides pels dispositius comercials.

Una velocitat cent vegades superior al rècord anterior

Pablo Sanchis, investigador del NTC de la UPV i coordinador del projecte, assenyala que "els resultats obtinguts podrien tenir un gran impacte en el sector de les telecomunicacions i les comunicacions de dades. No en va, hem aconseguit desenvolupar un xip basat en la tecnologia híbrida de titanat de bari i silici que funciona a velocitats de fins a 40 gigabits/s, és a dir, cent vegades superior al rècord assolit fins al moment, aconseguit l'any 2014 per un grup de recerca americà".

El principal avantatge del diòxid de vanadi és que permet modificar de forma significativa el senyal òptic en distàncies de l'ordre del micròmetre. "Això suposa", afig Sanchis, "poder reduir la grandària dels dispositius i el consum de potència. Aquesta tecnologia podria tenir utilitat en aplicacions de commutació electroòptica, com per exemple, en servidors per a poder encaminar el senyal òptic d'una forma molt més eficient".

Notícia en UPV TV
Descarrega arxiu