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Un equipo de investigadores del Centro de Tecnología Nanofotónica de la Universitat Politècnica de València (NTC-UPV) ha desarrollado una nueva tecnología compatible con fotónica de silicio cuyo uso en el ámbito de las comunicaciones permitirá incrementar la velocidad de transmisión de Internet, además de reducir el consumo energético de los dispositivos.

Entre sus posibles aplicaciones, destaca también el sector aeroespacial, ya que podría ayudar a mejorar la velocidad de operación de las comunicaciones por satélite, así como a reducir el peso de los mismos.

El desarrollo de esta tecnología constituye el principal resultado de SITOGA, un proyecto europeo coordinado por el NTC-UPV y en el que han participado también Das Photonics -spin off de la UPV-, la multinacional IBM, el Centro Nacional de Investigación Científica francés (CNRS), la Universidad Católica de Lovaina (Bélgica) y el Instituto Innovations for High Performance Microelectronics (IHP) alemán.

Integra dióxido de vanadio y titanato de bario en chips de silicio

El nuevo sistema está basado en la integración de dióxido de vanadio y titanato de bario en chips de silicio. El uso de estos materiales ha permitido miniaturizar y reducir el consumo de potencia y demostrar, por primera vez, modulaciones de alta velocidad utilizando el mismo efecto que se emplea actualmente en los moduladores comerciales, lo que abre la posibilidad de conseguir velocidades de modulación ultrarrápidas a la vez que un bajo consumo energético.

La característica singular de esta tecnología es su compatibilidad con la fabricación de circuitos integrados CMOS, lo que permitiría su realización a gran escala con bajo coste, así como su integración con otros componentes fotónicos para permitir funcionalidades mucho más complejas que las actualmente ofrecidas por los dispositivos comerciales.

Una velocidad cien veces superior al récord anterior

Pablo Sanchis, investigador del NTC-UPV y coordinador del proyecto, señala que "los resultados obtenidos podrían tener un gran impacto en el sector de las telecomunicaciones y las comunicaciones de datos. No en vano, hemos conseguido desarrollar un chip basado en la tecnología híbrida de titanato de bario y silicio que funciona a velocidades de hasta 40 gigabits/s, es decir, cien veces superior al récord alcanzado hasta el momento, conseguido en el año 2014 por un grupo de investigación americano".

La principal ventaja del dióxido de vanadio es que permite modificar de forma significativa la señal óptica en distancias del orden del micrómetro. "Esto supone", añade Sanchis, "poder reducir el tamaño de los dispositivos y el consumo de potencia. Esta tecnología podría tener utilidad en aplicaciones de conmutación electroóptica, como por ejemplo, en servidores para poder encaminar la señal óptica de una forma mucho más eficiente".

Noticia en UPV TV
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